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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > 2N6989
Microsemi

2N6989

Microsemi
TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116
Contém chumbo / RoHS não compatível

Preço de solicitação e tempo de entrega

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Parâmetros de produto

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Tipo transistor
4 NPN (Quad)
Embalagem do dispositivo fornecedor
TO-116
Série
-
Power - Max
1.5W
Embalagem
Bulk
Caixa / Gabinete
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Temperatura de operação
-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS
Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição
-
Descrição detalhada
Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 1.5W Through Hole TO-116
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)
800mA

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