2N6798
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Parâmetros de produto
- VGS (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Embalagem do dispositivo fornecedor
- TO-39
- Série
- -
- RDS ON (Max) @ Id, VGS
- 400 mOhm @ 3.5A, 10V
- Dissipação de energia (Max)
- 800mW (Ta), 25W (Tc)
- Embalagem
- Bulk
- Caixa / Gabinete
- TO-205AF Metal Can
- Temperatura de operação
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Through Hole
- Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Status sem chumbo / status de RoHS
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
- 5.29nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica FET
- -
- Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
- 10V
- Escorra a tensão de fonte (Vdss)
- 200V
- Descrição detalhada
- N-Channel 200V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 5.5A (Tc)
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