STP190N55LF3
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Parâmetros de produto
- VGS (th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±18V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Embalagem do dispositivo fornecedor
- TO-220-3
- Série
- STripFET™
- RDS ON (Max) @ Id, VGS
- 3.7 mOhm @ 30A, 10V
- Dissipação de energia (Max)
- 312W (Tc)
- Embalagem
- Tube
- Caixa / Gabinete
- TO-220-3
- Outros nomes
- 497-8810-5
STP190N55LF3-ND
- Temperatura de operação
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Through Hole
- Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tempo de entrega padrão do fabricante
- 38 Weeks
- Status sem chumbo / status de RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 6200pF @ 25V
- Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
- 80nC @ 5V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica FET
- -
- Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
- 5V, 10V
- Escorra a tensão de fonte (Vdss)
- 55V
- Descrição detalhada
- N-Channel 55V 120A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-220-3
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 120A (Tc)
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