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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Atosn STCOK. > STP180N4F6
STP180N4F6
STMicroelectronics

STP180N4F6

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    Parâmetros de produto

    VGS (th) (Max) @ Id
    -
    Vgs (Max)
    -
    Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
    Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-220
    Série
    STripFET™ F6
    RDS ON (Max) @ Id, VGS
    -
    Dissipação de energia (Max)
    190W (Tc)
    Embalagem
    Tube
    Caixa / Gabinete
    TO-220-3
    Temperatura de operação
    -
    Tipo de montagem
    Through Hole
    Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)
    1 (Unlimited)
    Tempo de entrega padrão do fabricante
    38 Weeks
    Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
    Tipo FET
    N-Channel
    Característica FET
    -
    Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    4.5V, 10V
    Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    40V
    Descrição detalhada
    N-Channel 40V 120A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
    Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

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