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Parâmetros de produto

VGS (th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Vgs (Max)
±16V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor
SOT-223
Série
STripFET™ II
RDS ON (Max) @ Id, VGS
100 mOhm @ 1.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)
3.3W (Tc)
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete
TO-261-4, TO-261AA
Outros nomes
497-10315-2
STN4NF06L-ND
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)
1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
340pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 5V
Tipo FET
N-Channel
Característica FET
-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)
60V
Descrição detalhada
N-Channel 60V 4A (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
4A (Tc)

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