STL4P2UH7
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Parâmetros de produto
- VGS (th) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±8V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Embalagem do dispositivo fornecedor
- PowerFlat™ (2x2)
- Série
- DeepGATE™, STripFET™ VII
- RDS ON (Max) @ Id, VGS
- 100 mOhm @ 2A, 4.5V
- Dissipação de energia (Max)
- 2.4W (Tc)
- Embalagem
- Tape & Reel (TR)
- Caixa / Gabinete
- 6-PowerWDFN
- Outros nomes
- 497-14996-2
- Temperatura de operação
- 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Status sem chumbo / status de RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 510pF @ 10V
- Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
- 4.8nC @ 4.5V
- Tipo FET
- P-Channel
- Característica FET
- -
- Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
- 1.8V, 4.5V
- Escorra a tensão de fonte (Vdss)
- 20V
- Descrição detalhada
- P-Channel 20V 4A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (2x2)
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 4A (Tc)
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