STD3NM60-1
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Parâmetros de produto
- VGS (th) (Max) @ Id
- 5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±30V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Embalagem do dispositivo fornecedor
- I-PAK
- Série
- MDmesh™
- RDS ON (Max) @ Id, VGS
- 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V
- Dissipação de energia (Max)
- 42W (Tc)
- Embalagem
- Tube
- Caixa / Gabinete
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Temperatura de operação
- -65°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Through Hole
- Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Status sem chumbo / status de RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 324pF @ 25V
- Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
- 14nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica FET
- -
- Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
- 10V
- Escorra a tensão de fonte (Vdss)
- 600V
- Descrição detalhada
- N-Channel 600V 3A (Tc) 42W (Tc) Through Hole I-PAK
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 3A (Tc)
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