STB18N55M5
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Parâmetros de produto
- VGS (th) (Max) @ Id
- 5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Embalagem do dispositivo fornecedor
- D2PAK
- Série
- MDmesh™ V
- RDS ON (Max) @ Id, VGS
- 192 mOhm @ 8A, 10V
- Dissipação de energia (Max)
- 110W (Tc)
- Embalagem
- Tape & Reel (TR)
- Caixa / Gabinete
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Outros nomes
- 497-11227-2
- Temperatura de operação
- 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Status sem chumbo / status de RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 1260pF @ 100V
- Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
- 31nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica FET
- -
- Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
- 10V
- Escorra a tensão de fonte (Vdss)
- 550V
- Descrição detalhada
- N-Channel 550V 16A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 16A (Tc)
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