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STB16NF06LT4
STMicroelectronics

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Parâmetros de produto

VGS (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max)
±16V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor
D2PAK
Série
STripFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS
90 mOhm @ 8A, 10V
Dissipação de energia (Max)
45W (Tc)
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes
497-4322-2
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)
1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante
42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
345pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Tipo FET
N-Channel
Característica FET
-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)
60V
Descrição detalhada
N-Channel 60V 16A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
16A (Tc)

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