SGSD200
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Parâmetros de produto
- Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
- 80V
- Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
- 3.5V @ 80mA, 20A
- Tipo transistor
- PNP - Darlington
- Embalagem do dispositivo fornecedor
- TO-247-3
- Série
- -
- Power - Max
- 130W
- Embalagem
- Tube
- Caixa / Gabinete
- TO-247-3
- Outros nomes
- 497-7422-5
SGSD200-ND
- Temperatura de operação
- -
- Tipo de montagem
- Through Hole
- Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Status sem chumbo / status de RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Frequência - Transição
- -
- Descrição detalhada
- Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 25A 130W Through Hole TO-247-3
- DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
- 500 @ 10A, 3V
- Atual - Collector Cutoff (Max)
- 500µA
- Atual - Collector (Ic) (Max)
- 25A
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