SCT50N120
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Parâmetros de produto
- VGS (th) (Max) @ Id
- 3V @ 1mA
- Vgs (Max)
- +25V, -10V
- Tecnologia
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Embalagem do dispositivo fornecedor
- HiP247™
- Série
- -
- RDS ON (Max) @ Id, VGS
- 69 mOhm @ 40A, 20V
- Dissipação de energia (Max)
- 318W (Tc)
- Embalagem
- Tube
- Caixa / Gabinete
- TO-247-3
- Outros nomes
- 497-16598-5
- Temperatura de operação
- -55°C ~ 200°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Through Hole
- Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Status sem chumbo / status de RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 1900pF @ 400V
- Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
- 122nC @ 20V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica FET
- -
- Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
- 20V
- Escorra a tensão de fonte (Vdss)
- 1200V
- Descrição detalhada
- N-Channel 1200V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 65A (Tc)
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