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Parâmetros de produto

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
65V
Tipo transistor
NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor
M112
Série
-
Power - Max
1350W
Embalagem
Bulk
Caixa / Gabinete
M112
Temperatura de operação
200°C (TJ)
Fator de ruído (dB Typ @ f)
-
Tipo de montagem
Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)
1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Ganho
5.6dB
Frequência - Transição
1.025GHz ~ 1.15GHz
Descrição detalhada
RF Transistor NPN 65V 40A 1.025GHz ~ 1.15GHz 1350W Chassis Mount M112
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
5 @ 250mA, 5V
Atual - Collector (Ic) (Max)
40A

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