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CSD25202W15
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Sem chumbo / acordo com RoHS
Preço de solicitação e tempo de entrega
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Parâmetros de produto
- VGS (th) (Max) @ Id
- 1.05V @ 250µA
- Vgs (Max)
- -6V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Embalagem do dispositivo fornecedor
- 9-DSBGA
- Série
- NexFET™
- RDS ON (Max) @ Id, VGS
- 26 mOhm @ 2A, 4.5V
- Dissipação de energia (Max)
- 500mW (Ta)
- Embalagem
- Tape & Reel (TR)
- Caixa / Gabinete
- 9-UFBGA, DSBGA
- Outros nomes
- 296-39837-2
CSD25202W15-ND
- Temperatura de operação
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Status sem chumbo / status de RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 1010pF @ 10V
- Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
- 7.5nC @ 4.5V
- Tipo FET
- P-Channel
- Característica FET
- -
- Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
- 1.8V, 4.5V
- Escorra a tensão de fonte (Vdss)
- 20V
- Descrição detalhada
- P-Channel 20V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 9-DSBGA
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 4A (Ta)
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