MD2009DFX
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Parâmetros de produto
- Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
- 700V
- Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
- 2.8V @ 1.4A, 5.5A
- Tipo transistor
- NPN
- Embalagem do dispositivo fornecedor
- ISOWATT-218FX
- Série
- -
- Power - Max
- 58W
- Embalagem
- Tube
- Caixa / Gabinete
- ISOWATT218FX
- Temperatura de operação
- 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Through Hole
- Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Status sem chumbo / status de RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Frequência - Transição
- -
- Descrição detalhada
- Bipolar (BJT) Transistor NPN 700V 10A 58W Through Hole ISOWATT-218FX
- DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
- 5 @ 5.5A, 5V
- Atual - Collector Cutoff (Max)
- 200µA
- Atual - Collector (Ic) (Max)
- 10A
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