APT10SCD65K
Microsemi
DIODE SILICON 650V 17A TO220
Sem chumbo / acordo com RoHS
Preço de solicitação e tempo de entrega
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Parâmetros de produto
- Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se
- 1.8V @ 10A
- Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
- 650V
- Embalagem do dispositivo fornecedor
- TO-220 [K]
- Velocidade
- No Recovery Time > 500mA (Io)
- Série
- -
- Inversa de tempo de recuperação (trr)
- 0ns
- Embalagem
- Bulk
- Caixa / Gabinete
- TO-220-2
- Temperatura de Operação - Junção
- -55°C ~ 150°C
- Tipo de montagem
- Through Hole
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Status sem chumbo / status de RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Tipo Diode
- Silicon Carbide Schottky
- Descrição detalhada
- Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K]
- Atual - dispersão reversa @ Vr
- 200µA @ 650V
- Atual - rectificada média (Io)
- 17A
- Capacitância @ Vr, F
- 300pF @ 1V, 1MHz
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