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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Atosn STCOK. > BS870-7-F
BS870-7-F
Diodes Incorporated

BS870-7-F

Diodes Incorporated

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Parâmetros de produto

VGS (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor
SOT-23-3
Série
-
RDS ON (Max) @ Id, VGS
5 Ohm @ 200mA, 10V
Dissipação de energia (Max)
300mW (Ta)
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes
BS870-FDITR
BS8707F
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)
1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante
20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Característica FET
-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)
60V
Descrição detalhada
N-Channel 60V 250mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
250mA (Ta)

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