BDV65B
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Parâmetros de produto
- Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
- 100V
- Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
- 2V @ 20mA, 5A
- Tipo transistor
- NPN - Darlington
- Embalagem do dispositivo fornecedor
- SOT-93
- Série
- -
- Power - Max
- 125W
- Embalagem
- Tube
- Caixa / Gabinete
- TO-218-3
- Temperatura de operação
- -65°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Through Hole
- Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Status sem chumbo / status de RoHS
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Frequência - Transição
- -
- Descrição detalhada
- Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 10A 125W Through Hole SOT-93
- DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
- 1000 @ 5A, 4V
- Atual - Collector Cutoff (Max)
- 1mA
- Atual - Collector (Ic) (Max)
- 10A
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