2SC3506
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Parâmetros de produto
- Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
- 800V
- Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
- 1.5V @ 400mA, 2A
- Tipo transistor
- NPN
- Embalagem do dispositivo fornecedor
- TOP-3F-A1
- Série
- -
- Power - Max
- 3W
- Embalagem
- Bulk
- Caixa / Gabinete
- TOP-3F
- Temperatura de operação
- 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Through Hole
- Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Status sem chumbo / status de RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Frequência - Transição
- 4MHz
- Descrição detalhada
- Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 3A 4MHz 3W Through Hole TOP-3F-A1
- DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
- 6 @ 2A, 5V
- Atual - Collector Cutoff (Max)
- 50µA (ICBO)
- Atual - Collector (Ic) (Max)
- 3A
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