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STSJ100NH3LL
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 25A PWR8SOIC
Sem chumbo / acordo com RoHS
Preço de solicitação e tempo de entrega
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Parâmetros de produto
- VGS (th) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±16V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Embalagem do dispositivo fornecedor
- 8-SOIC-EP
- Série
- STripFET™ III
- RDS ON (Max) @ Id, VGS
- 3.5 mOhm @ 12.5A, 10V
- Dissipação de energia (Max)
- 3W (Ta), 70W (Tc)
- Embalagem
- Tape & Reel (TR)
- Caixa / Gabinete
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
- Outros nomes
- 497-5785-2
STSJ100NH3LL-ND
- Temperatura de operação
- 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Status sem chumbo / status de RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 4450pF @ 25V
- Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
- 40nC @ 4.5V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica FET
- -
- Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
- 4.5V, 10V
- Escorra a tensão de fonte (Vdss)
- 30V
- Descrição detalhada
- N-Channel 30V 100A (Tc) 3W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount 8-SOIC-EP
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 100A (Tc)
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