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STH110N10F7-6
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
Sem chumbo / acordo com RoHS
Preço de solicitação e tempo de entrega
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Parâmetros de produto
- VGS (th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Embalagem do dispositivo fornecedor
- H2PAK-6
- Série
- DeepGATE™, STripFET™ VII
- RDS ON (Max) @ Id, VGS
- 6.5 mOhm @ 55A, 10V
- Dissipação de energia (Max)
- 150W (Tc)
- Embalagem
- Tape & Reel (TR)
- Caixa / Gabinete
- TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
- Outros nomes
- 497-13837-2
- Temperatura de operação
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Status sem chumbo / status de RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 5117pF @ 50V
- Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
- 72nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica FET
- -
- Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
- 10V
- Escorra a tensão de fonte (Vdss)
- 100V
- Descrição detalhada
- N-Channel 100V 110A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 110A (Tc)
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