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CSD19538Q3A


MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
Sem chumbo / acordo com RoHS

    Preço de solicitação e tempo de entrega

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    Parâmetros de produto

    VGS (th) (Max) @ Id
    3.8V @ 250µA
    Vgs (Max)
    ±20V
    Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
    Embalagem do dispositivo fornecedor
    8-VSONP (3x3.15)
    Série
    NexFET™
    RDS ON (Max) @ Id, VGS
    59 mOhm @ 5A, 10V
    Dissipação de energia (Max)
    2.8W (Ta), 23W (Tc)
    Embalagem
    Cut Tape (CT)
    Caixa / Gabinete
    8-PowerVDFN
    Outros nomes
    296-44352-1
    Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem
    Surface Mount
    Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
    Tempo de entrega padrão do fabricante
    35 Weeks
    Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    454pF @ 50V
    Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    4.3nC @ 10V
    Tipo FET
    N-Channel
    Característica FET
    -
    Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    6V, 10V
    Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    100V
    Descrição detalhada
    N-Channel 100V 15A (Ta) 2.8W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.15)
    Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    15A (Ta)

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