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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > SG2003J
SG2003J
Microsemi

SG2003J

Microsemi
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
Sem chumbo / acordo com RoHS

Preço de solicitação e tempo de entrega

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Parâmetros de produto

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 500µA, 350mA
Tipo transistor
7 NPN Darlington
Embalagem do dispositivo fornecedor
16-CDIP
Série
-
Power - Max
-
Embalagem
Tube
Caixa / Gabinete
16-CDIP (0.300", 7.62mm)
Outros nomes
1259-1080
1259-1080-MIL
1259-1080-ND
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição
-
Descrição detalhada
Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 350mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max)
-
Atual - Collector (Ic) (Max)
500mA

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