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STB23NM60N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
Sem chumbo / acordo com RoHS
Preço de solicitação e tempo de entrega
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Parâmetros de produto
- VGS (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Embalagem do dispositivo fornecedor
- D2PAK
- Série
- MDmesh™ II
- RDS ON (Max) @ Id, VGS
- 180 mOhm @ 9.5A, 10V
- Dissipação de energia (Max)
- 150W (Tc)
- Embalagem
- Tape & Reel (TR)
- Caixa / Gabinete
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Outros nomes
- 497-7943-2
STB23NM60N-ND
- Temperatura de operação
- 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Status sem chumbo / status de RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 2050pF @ 50V
- Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
- 60nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica FET
- -
- Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
- 10V
- Escorra a tensão de fonte (Vdss)
- 600V
- Descrição detalhada
- N-Channel 600V 19A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 19A (Tc)
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