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STS10DN3LH5
STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Sem chumbo / acordo com RoHS
Preço de solicitação e tempo de entrega
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Parâmetros de produto
- VGS (th) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA
- Embalagem do dispositivo fornecedor
- 8-SO
- Série
- STripFET™ V
- RDS ON (Max) @ Id, VGS
- 21 mOhm @ 5A, 10V
- Power - Max
- 2.5W
- Embalagem
- Cut Tape (CT)
- Caixa / Gabinete
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Outros nomes
- 497-10011-1
- Temperatura de operação
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Status sem chumbo / status de RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 475pF @ 25V
- Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
- 4.6nC @ 5V
- Tipo FET
- 2 N-Channel (Dual)
- Característica FET
- Logic Level Gate
- Escorra a tensão de fonte (Vdss)
- 30V
- Descrição detalhada
- Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10A 2.5W Surface Mount 8-SO
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 10A
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