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STL8N65M5
STMicroelectronics

STL8N65M5

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT
Sem chumbo / acordo com RoHS

Preço de solicitação e tempo de entrega

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Parâmetros de produto

VGS (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Vgs (Max)
±25V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor
PowerFLAT™ (5x5)
Série
MDmesh™ V
RDS ON (Max) @ Id, VGS
600 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)
2.5W (Ta), 70W (Tc)
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete
14-PowerVQFN
Outros nomes
497-11850-2
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
690pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Característica FET
-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)
650V
Descrição detalhada
N-Channel 650V 1.4A (Ta), 7A (Tc) 2.5W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount PowerFLAT™ (5x5)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
1.4A (Ta), 7A (Tc)

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