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APT19F100J
Microsemi
MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
Sem chumbo / acordo com RoHS
Preço de solicitação e tempo de entrega
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Parâmetros de produto
- VGS (th) (Max) @ Id
- 5V @ 2.5mA
- Vgs (Max)
- ±30V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Embalagem do dispositivo fornecedor
- ISOTOP®
- Série
- POWER MOS 8™
- RDS ON (Max) @ Id, VGS
- 440 mOhm @ 16A, 10V
- Dissipação de energia (Max)
- 460W (Tc)
- Embalagem
- Tube
- Caixa / Gabinete
- SOT-227-4, miniBLOC
- Temperatura de operação
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Chassis Mount
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Status sem chumbo / status de RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 8500pF @ 25V
- Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
- 260nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica FET
- -
- Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
- 10V
- Escorra a tensão de fonte (Vdss)
- 1000V
- Descrição detalhada
- N-Channel 1000V 20A (Tc) 460W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 20A (Tc)
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