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CSD19501KCS
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
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Parâmetros de produto
- VGS (th) (Max) @ Id
- 3.2V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Embalagem do dispositivo fornecedor
- TO-220-3
- Série
- NexFET™
- RDS ON (Max) @ Id, VGS
- 6.6 mOhm @ 60A, 10V
- Dissipação de energia (Max)
- 217W (Tc)
- Embalagem
- Tube
- Caixa / Gabinete
- TO-220-3
- Outros nomes
- 296-37286-5
CSD19501KCS-ND
- Temperatura de operação
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Through Hole
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tempo de entrega padrão do fabricante
- 35 Weeks
- Status sem chumbo / status de RoHS
- Request inventory verification / RoHS Compliant
- Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 3980pF @ 40V
- Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
- 50nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Característica FET
- -
- Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
- 6V, 10V
- Escorra a tensão de fonte (Vdss)
- 80V
- Descrição detalhada
- N-Channel 80V 100A (Ta) 217W (Tc) Through Hole TO-220-3
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 100A (Ta)
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