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CSD16411Q3
MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Preço de solicitação e tempo de entrega
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Parâmetros de produto
- Tensão - Teste
- 570pF @ 12.5V
- Tensão - Breakdown
- 8-VSON (3.3x3.3)
- VGS (th) (Max) @ Id
- 10 mOhm @ 10A, 10V
- Vgs (Max)
- 4.5V, 10V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Série
- NexFET™
- Status de RoHS
- Tape & Reel (TR)
- RDS ON (Max) @ Id, VGS
- 14A (Ta), 56A (Tc)
- Polarização
- 8-PowerVDFN
- Outros nomes
- 296-24255-2
CSD16411Q3/2801
CSD16411Q3/2801-ND
- Temperatura de operação
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tempo de entrega padrão do fabricante
- 12 Weeks
- Número de peça do fabricante
- CSD16411Q3
- Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 3.8nC @ 4.5V
- Tipo de IGBT
- +16V, -12V
- Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
- 2.3V @ 250µA
- Característica FET
- N-Channel
- Descrição expandida
- N-Channel 25V 14A (Ta), 56A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
- Escorra a tensão de fonte (Vdss)
- -
- Descrição
- MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 25V
- Rácio de capacitância
- 2.7W (Ta)
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