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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > STS4DNFS30L
STS4DNFS30L
STMicroelectronics

STS4DNFS30L

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
Sem chumbo / acordo com RoHS

Preço de solicitação e tempo de entrega

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Parâmetros de produto

VGS (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Vgs (Max)
±16V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor
8-SO
Série
STripFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS
55 mOhm @ 2A, 10V
Dissipação de energia (Max)
2W (Tc)
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes
497-3227-2
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 5V
Tipo FET
N-Channel
Característica FET
Schottky Diode (Isolated)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)
30V
Descrição detalhada
N-Channel 30V 4A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
4A (Tc)

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