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STW25N60M2-EP
STMicroelectronics

STW25N60M2-EP

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    Parâmetros de produto

    VGS (th) (Max) @ Id
    4.75V @ 250µA
    Vgs (Max)
    ±25V
    Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
    Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-247
    Série
    MDmesh™ M2-EP
    RDS ON (Max) @ Id, VGS
    188 mOhm @ 9A, 10V
    Dissipação de energia (Max)
    150W (Tc)
    Embalagem
    Tube
    Caixa / Gabinete
    TO-247-3
    Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem
    Through Hole
    Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)
    1 (Unlimited)
    Tempo de entrega padrão do fabricante
    42 Weeks
    Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1090pF @ 100V
    Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    29nC @ 10V
    Tipo FET
    N-Channel
    Característica FET
    -
    Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
    Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    600V
    Descrição detalhada
    N-Channel 600V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247
    Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    18A (Tc)

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