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STT3P2UH7
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Parâmetros de produto

VGS (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Vgs (Max)
±8V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor
SOT-23-6
Série
STripFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS
100 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)
1.6W (Tc)
Embalagem
Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete
SOT-23-6
Outros nomes
497-15156-1
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)
1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
4.8nC @ 4.5V
Tipo FET
P-Channel
Característica FET
-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)
20V
Descrição detalhada
P-Channel 20V 3A (Tc) 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
3A (Tc)

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