STS5P3LLH6
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Parâmetros de produto
- VGS (th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Embalagem do dispositivo fornecedor
- 8-SO
- Série
- DeepGATE™, STripFET™ H6
- RDS ON (Max) @ Id, VGS
- 56 mOhm @ 2.5A, 10V
- Dissipação de energia (Max)
- 2.7W (Ta)
- Embalagem
- Tape & Reel (TR)
- Caixa / Gabinete
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Outros nomes
- 497-15484-2
- Temperatura de operação
- 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Status sem chumbo / status de RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 639pF @ 25V
- Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
- 6nC @ 4.5V
- Tipo FET
- P-Channel
- Característica FET
- -
- Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
- 4.5V, 10V
- Escorra a tensão de fonte (Vdss)
- 30V
- Descrição detalhada
- P-Channel 30V 5A (Ta) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SO
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 5A (Ta)
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